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探测器型号总表

光电精密,芯片致新

光电精密,芯片致新

探测器型号总表

覆盖 Si / InGaAs / GaN / SiC 等材料的光电二极管(PD)、雪崩光电二极管(APD)与四象限探测器,pin-to-pin 替代进口品牌(某松等),支持封装形式与芯片定制。

已收录 67 款成熟型号 · 9 大产品系列 · 波段 180–2600nm

我们能做哪些探测器?

从紫外到近红外、从单像素到四象限、从通用 PD 到高增益 APD——点击下方卡片即可筛选对应型号。拿不准型号?直接加毛工微信发需求,我们帮你选型。

紫外光电二极管12 款

紫外光电二极管 (UV PD)

180–420nm 紫外探测,SiC / GaN / AlGaN 材料,用于火焰传感、紫外固化、臭氧与分光检测。

硅光电二极管19 款

硅光电二极管 (Si PD)

190–1100nm 可见光至近红外主力,医疗荧光、分析仪器、信号采集的通用之选。

硅雪崩光电二极管9 款

硅雪崩光电二极管 (Si APD)

400–1100nm 高增益探测,微弱光信号内部放大,适合低照度与高速场景。

铟镓砷光电二极管10 款

铟镓砷光电二极管 (InGaAs PD)

800–2600nm 近红外/短波红外,光通信、激光雷达、光谱与测温核心器件。

铟镓砷雪崩光电二极管3 款

铟镓砷雪崩光电二极管 (InGaAs APD)

高灵敏度近红外探测,微弱近红外信号的高增益方案。

四象限硅光电二极管6 款

四象限硅光电二极管

400–1100nm 位置传感,光斑跟踪、对准与位移测量。

四象限铟镓砷光电二极管4 款

四象限铟镓砷光电二极管

800–1750nm 近红外四象限定位,激光对准与光束分析。

四象限硅雪崩光电二极管1 款

四象限硅雪崩光电二极管

400–1100nm 高增益四象限,弱光位置感知。

四象限铟镓砷雪崩光电二极管3 款

四象限铟镓砷雪崩光电二极管

800–1750nm 高灵敏度近红外四象限探测。

67成熟对标型号
9产品系列
180–2600nm波段覆盖
TO46→SMD多封装可选

型号总表(可筛选 / 搜索)

材料封装形式产品系列幸子型号 光敏面 μm波长 nm电压 V替代某松型号
SiC UV PDTO46紫外光电二极管XL-G5-2038-TO46500.0180-38520.0部分产品为幸子科技独有,交期短,性价比高,结合客户需求可定制封装形式,接受芯片定制
UV PDTO46紫外光电二极管XL-G10-2038-TO461000.0180-38520.0—
UV PDTO5紫外光电二极管XL-G30-2038-TO463000.0180-38520.0—
GaN UV PDTO46紫外光电二极管XL-H2-1837-TO46200.0180-3705.0—
UV PDTO46紫外光电二极管XL-H10-1837-TO461000.0180-3705.0—
UV PDTO5紫外光电二极管XL-H20-1837-TO462000.0180-3705.0—
UV PDTO5紫外光电二极管XL-H40-1837-TO464000.0180-3705.0—
UV PDTO46紫外光电二极管XL-H10-2040-TO461000.0180-4005.0—
UV PDTO46紫外光电二极管XL-H10-2042-TO461000.0180-4205.0—
AlGaN UV PDTO46紫外光电二极管XL-J2-2428-TO46200.0240-2805.0—
UV PDTO46紫外光电二极管XL-J10-2428-TO461000.0240-2805.0—
UV PDTO46紫外光电二极管XL-J2-2327-TO46200.0230-2705.0—
SI PDTO46硅光电二极管XL-A10-1910-TO461100.0190-11005.0S1336-18BQ
SiTO46硅光电二极管XL-A15-1910-TO461600.0190-11005.0—
SiTO5硅光电二极管XL-A20-1910-TO52400.0190-11005.0S1336-5BQ
SiTO5硅光电二极管XL-A30-1910-TO53000.0190-11005.0—
Si陶瓷6080硅光电二极管XL-A30-32100IR-C60803000.0320-11005.0S1133-01
SiTO5硅光电二极管XL-A40-1910-TO54000.0190-11005.0S1336-44BQ
SiTO8硅光电二极管XL-A16-1910-TO81100*5900190-11005.0S1337-16BQ
SiTO8硅光电二极管XL-A60-1910-TO86000.0190-11005.0S1336-8BQ
SiT1516硅光电二极管XL-A100-1910-T151610000.0190-11005.0S1337-1010BQ
SiTO46硅光电二极管XL-A3-4010-TO46300.0400-11005.0—
SiTO46硅光电二极管XL-A5-4010-TO46500.0400-11005.0—
SiTO46硅光电二极管XL-A10-4010-TO461100.0400-11005.0S1336-18BK
SiTO46硅光电二极管XL-A15-4010-TO461600.0400-11005.0—
SiTO5硅光电二极管XL-A20-4010-TO52400.0400-11005.0S1336-5BK
SiTO5硅光电二极管XL-A30-4010-TO53000.0400-11005.0—
SiTO5硅光电二极管XL-A40-4010-TO54000.0400-11005.0S1336-44BK
SiTO8硅光电二极管XL-A50-4010-TO85000.0400-11005.0S1133
SiTO8硅光电二极管XL-A60-4010-TO86000.0400-11005.0S1336-8BK
SiT1516硅光电二极管XL-A100-4010-T151610000.0400-11005.0S3590-08
SI APDTO46 UV APD硅雪崩光电二极管XL-D10-3010-TO46W1000.0300-800100-200S8664-10K
SiTO46硅雪崩光电二极管XL-D2-4010-TO46W200.0400-1100100-200/350-450VS8664-02K/S12023-02
SiTO46硅雪崩光电二极管XL-D5-4010-TO46W500.0400-1100100-200/350-450VS8664-05K/S12023-05
SiTO46硅雪崩光电二极管XL-D8-4010-TO46W1000.0400-1100100-200/350-450VS8664-10K
SiTO46硅雪崩光电二极管XL-D18-4010-TO46W1800.0400-1100100-200/350-450VS8664-20K
SiTO5硅雪崩光电二极管XL-D30-4010-TO5W3000.0400-1100100-200/350-450VS8664-30K/S8890-30
SiTO8硅雪崩光电二极管XL-D60-4010-TO8W6000.0400-1100100-200/350-450VS8664-50K
Si4035 SMD硅雪崩光电二极管XL-D2-4011-S4035230.0400-1100100-200—
SiTO46硅雪崩光电二极管XL-D5-4011-S4035500.0400-1100100-200—
InGaAs PDTO46铟镓砷光电二极管XL-B5-8017-TO46W500.0800-175030vG12180-005A
InGaAsTO46铟镓砷光电二极管XL-B10-8017-TO46W1000.0800-175030vG8370-81/G12180-110k
InGaAsTO5铟镓砷光电二极管XL-B20-8017-TO5W2000.0800-175030vG8370-82/
InGaAsTO5铟镓砷光电二极管XL-B30-8017-TO5W3000.0800-175030vG8370-83/G12180-030A/G12180-230k
InGaAsTO5铟镓砷光电二极管XL-B50-8017-TO8W5000.0800-175030vG8370-85
InGaAs贴片铟镓砷光电二极管XL-B100-8017-C161510000.0900-17005V—
InGaAsTO46铟镓砷光电二极管XL-B3-8026-TO46W300.0800-175030vG12183-003K
InGaAsTO46铟镓砷光电二极管XL-B5-8026-TO46W500.0800-260030vG12183-005K
InGaAsTO46铟镓砷光电二极管XL-B10-8026-TO46W1000.0800-260030vG12183-010K
InGaAsTO46铟镓砷光电二极管XL-B20-8026-TO46W2000.0800-260030vG12183-020K
InGaAs APDTO46铟镓砷雪崩光电二极管XL-E2-951715-TO46W200.0800-175035-45VG8931-20
InGaAsTO46铟镓砷雪崩光电二极管XL-E5-951715-TO46W500.0800-175035-45VG8931-50
InGaAsTO46铟镓砷雪崩光电二极管XL-E10-951715-TO46W1000.0800-175035-45V—
SITO8四象限硅光电二极管XL-L5-4011-TO85000.0400-1100≥300VS5980
SiTO26四象限硅光电二极管XL-L8-4011-TO268000.0400-1100≥300V—
SiTO31四象限硅光电二极管XL-L10-4011-TO3110000.0400-1100≥300VS5981
SiTO26四象限硅光电二极管XL-L12-4011-TO2612000.0400-1100≥200V—
SiTO26四象限硅光电二极管XL-L14-4011-TO2614000.0400-1100≥300V—
SiTO31四象限硅光电二极管XL-L16-4011-TO3116000.0400-1100≥300V—
InGaAs PDTO5四象限铟镓砷光电二极管XL-M10-8017-TO51000.0800-175020vG6849-01
InGaAsTO5四象限铟镓砷光电二极管XL-M15-8017-TO51500.0800-175020v—
InGaAsTO5四象限铟镓砷光电二极管XL-M20-8017-TO52000.0800-175020vG6849
InGaAsTO5四象限铟镓砷光电二极管XL-M30-8017-TO53000.0800-175020v—
SITO8四象限硅雪崩光电二极管XL-L4-4011-TO144000.0400-1100400-500V—
InGaAs APDTO46四象限铟镓砷雪崩光电二极管XL-L2-4011-TO46200.0800-1750—
InGaAsTO46四象限铟镓砷雪崩光电二极管XL-L5-4011-TO46500.0800-1750—
InGaAsTO5四象限铟镓砷雪崩光电二极管XL-L10-4011-TO51000.0800-1750—
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当前显示 67 款型号。表中”替代某松型号”仅作参数映射参考,具体以样品实测为准。

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参数替代某松 / 威世 / 欧司朗,可直接替换,降低验证门槛与切换风险。

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交期 2–4 周

进口件常需 8–12 周,我们国产供应链快速响应,样品先行验证。

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成本优化 30%–50%

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封装 / 芯片定制

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型号信息仅作选型参考,最终参数以实物规格书与样品实测为准。© 深圳市幸子科技有限公司

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